Перейти на главную страницу

Менюшка
Меню портала




 

Дружественные сайты

_____________________________

» » Создан инновационный микрочип памяти

Создан инновационный микрочип памяти

Британские исследователи из Университетского колледжа Лондона разработали первый в мире чип энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом на основе оксида кремния, способный функционировать при обычных условиях.

Исследователи из Университетского колледжа Лондона (Великобритания) отрапортовали о новых достижениях в области разработки энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM).

Память ReRAM (или RRAM) совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи.

Специалистам Университетского колледжа Лондона, как сообщается, удалось получить первый в мире чип ReRAM на основе оксида кремния, способный функционировать при обычных условиях. Другие похожие изделия работоспособны только в вакууме, что ограничивает сферу их применения.

Исследователи подчёркивают, что новый микрочип по сравнению с флеш-памятью требует в 1 000 раз меньше энергии и обеспечивает 100-кратный прирост производительности. Предложенная технология также открывает путь к созданию прозрачных чипов памяти.

Предполагается, что в перспективе микросхемы ReRAM будут использоваться в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах, видеокамерах, различных мобильных устройствах и пр.

Подготовлено по материалам Университетского колледжа Лондона.




Отзывов 0    Просмотров  


Другие новости по теме:



Соблюдение режима питания поможет сохранить здоровье
   

После 45 лет интеллект человека существенно снижается
   

Физкультура после 50 лет снижает риск болезней сердца
   

МГТУ посетит норвежская делегация
   

Активность мозга снижается после 45
   

Выпускник НГУ получил премию за прорыв в микроэлектронике
   

Комментарии