Выпускник НГУ получил премию за прорыв в микроэлектронике
[28.08.09] Выпускник НГУ, бывший сотрудник Института физики полупроводников СО РАН Сергей Охонин получил 13 августа престижную премию Швейцарского федерального института технологий в Лозанне за фундаментальный прорыв в создании компьютерной памяти.
Сергей Охонин, в середине 90-х годов ставший соучредителем и ведущим разработчиком компании Innovative Silicon (Швейцария, США), получил награду за разработку принципиально нового типа полупроводниковой памяти, которая применяется в микропроцессорах и оперативной памяти всех существующих компьютеров. Технология, получившая название Z-RAM, позволяет записать один бит информации на один транзистор и при этом не требует конденсатора, в отличие от применяемой сегодня в компьютерах технологии DRAM. Разработка считается первым фундаментальным улучшением этого типа памяти с момента его изобретения в 70-х годах прошлого века, позволяя, как заявляет разработчик, сделать ее на порядок компактнее и дешевле в производстве.
В 2005 году лицензию на технологию Z-RAM получила корпорация AMD, второй после Intel производитель микропроцессоров в мире. Позднее корпорация продлила право на пользование лицензией. В 2007 году лицензию также приобрела компания Hynix Semiconductors, ведущий разработчик оперативной памяти для персональных компьютеров.
«Награда подтвердила роль доктора Охонина в создании полупроводниковой памяти для будущих поколений», — говорится в сообщении Innovative Silicon.
Просмотров 
